Intel marca un hito: primeros chips comerciales con litografía High-NA EUV

¿Qué ha ocurrido?

Intel ha anunciado que ha comenzado la producción en alto volumen (HVM) de chips lógicos utilizando la litografía High-NA EUV (extreme ultraviolet) de ASML, concretamente los escáneres EXE de 0.55 de apertura numérica (NA). Según Tom's Hardware, los primeros productos en beneficiarse son los procesadores Panther Lake (serie Core Ultra 3), fabricados en el nodo Intel 18A. Las capas seleccionadas han sido dual-qualified, lo que significa que pueden ser expuestas tanto en los escáneres NXE (0.33 NA) como en los EXE (0.55 NA), garantizando la intercambiabilidad de las obleas. ASML confirmó el hito en un comunicado de prensa oficial el 15 de julio, señalando que Intel Foundry está ejecutando las capas High-NA calificadas en su nodo 18A en Oregón. Este anuncio marca la primera vez que una empresa utiliza High-NA EUV para producción comercial de chips lógicos, superando la fase de I+D en la que se encontraba desde que ASML entregó los primeros prototipos en 2023.

¿Por qué es importante?

La litografía High-NA EUV es la sucesora de la EUV convencional (0.33 NA) y permite imprimir patrones más pequeños y densos, esenciales para continuar la ley de Moore. Hasta ahora, esta tecnología solo se había utilizado en I+D. Que Intel la lleve a producción de alto volumen es un hito técnico y estratégico: demuestra que la plataforma EXE de ASML es viable para fabricación comercial. Históricamente, la transición de EUV de 0.33 NA a High-NA ha sido comparable al salto de la litografía de inmersión de 193 nm a EUV, que tardó años en madurar. ASML ha invertido más de una década en desarrollar High-NA, con un costo estimado de 10 mil millones de euros en I+D. Este hito podría acelerar la adopción por parte de otros fabricantes como TSMC y Samsung, que aún no han anunciado planes concretos de HVM con High-NA. TSMC, por ejemplo, ha indicado que adoptará High-NA para su nodo A14 a partir de 2027-2028, pero Intel se adelanta al menos un año. Según analistas de IC Insights, la ventaja de Intel podría traducirse en una reducción del 15-20% en el tamaño de los transistores en comparación con el nodo 18A sin High-NA, mejorando la densidad y eficiencia energética.

Consecuencias para la industria

Este avance refuerza la posición de Intel en la carrera de litografía, especialmente frente a TSMC. Si Intel logra rendimientos competitivos con High-NA, podría atraer más clientes de fundición. Sin embargo, los costes de los escáneres EXE (más de 350 millones de dólares por unidad) y la complejidad técnica limitan su adopción inmediata. ASML ha fabricado solo unos pocos sistemas EXE:5000, y se espera que la producción en serie comience en 2025. Intel planea instalar múltiples escáneres EXE en sus fábricas de Oregón, Arizona y Ohio, con una inversión de más de 20 mil millones de dólares en nuevas instalaciones. En comparación, TSMC ha sido cautelosa debido a los costos y la madurez de la tecnología; su CEO, C.C. Wei, declaró en la conferencia de resultados de abril que High-NA aún no es económica para producción en volumen. Samsung, por su parte, ha retrasado sus planes de High-NA hasta 2026. La dual qualification de las capas de Panther Lake sugiere que High-NA no reemplaza por completo a EUV actual, sino que se usa donde aporta ventajas, como en las capas críticas de interconexión. Esto podría llevar a una coexistencia de ambas tecnologías durante varios años, similar a lo que ocurrió con la litografía de inmersión y la de 248 nm. Para los fabricantes de equipos, como Applied Materials y Lam Research, este hito impulsará la demanda de nuevas herramientas de deposición y grabado compatibles con High-NA.

Qué deben saber los lectores

Para los consumidores, esto significa que los próximos procesadores Intel podrían ofrecer mejor eficiencia y rendimiento gracias a transistores más pequeños. Los Panther Lake, esperados para 2025, podrían tener un 20-30% más de rendimiento por vatio en comparación con los actuales Meteor Lake. Para inversores, es una señal de que la estrategia de Intel Foundry avanza, aunque la rentabilidad sigue siendo incierta: Intel ha reportado pérdidas en su división de fundición de 7 mil millones de dólares en 2023. Para la industria, es un recordatorio de que la innovación en litografía sigue siendo clave. No obstante, la dual qualification sugiere que High-NA no reemplaza por completo a EUV actual, sino que se usa donde aporta ventajas. Además, el dominio de ASML en litografía se consolida: la empresa neerlandesa controla el 100% del mercado de EUV y High-NA, lo que genera tensiones geopolíticas, especialmente con las restricciones de exportación a China. Según fuentes de la industria, China está intentando desarrollar su propia tecnología EUV, pero se estima que no tendrá prototipos hasta 2028 al menos.

“Intel se convierte en la primera empresa en enviar chips lógicos de alto volumen fabricados con High-NA EUV, un hito que ASML califica como 'un paso importante para la industria'.”

En resumen, el uso de High-NA EUV en producción es un logro técnico que podría redefinir la fabricación de semiconductores en los próximos años. Sin embargo, el camino hacia la adopción masiva está lleno de desafíos económicos y técnicos. La industria observa de cerca si Intel puede mantener el liderazgo y si TSMC responderá acelerando sus planes. Para los lectores, este avance significa procesadores más potentes y eficientes en el horizonte, pero también refleja la creciente complejidad y coste de la fabricación de chips, que podría limitar la competencia a largo plazo.